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多芯片面发射封装

OctoLas™ / QuaLas™

  • 准直化面发光输出
  • 多个LD芯片高密度集成
  • 相较于TO封装，以更小的占板面积实现更高功率输出
OctoLas™ QuaLas™

OctoLas™

该产品在单一封装内集成多个半导体激光芯片。激光经封装顶部配置的阵列透镜准直后，以二维阵列形式沿垂直方向输出。与采用TO封装等独立封装方案相比，可在更小的占板面积内实现更高密度集成。
通常每个封装搭载28～32个LD芯片。此外，二维阵列的每一行由7～8个半导体激光器串联连接，并从封装侧面引出一对阳极（Anode）和阴极（Cathode）引脚。

产品规格示例：NUBM3N1

规格

Items Symbol Spec (Typ.)* Unit
Dominant Wavelength λd 455 nm
Optical Output Power Po 200 W
Forward Voltage VF 109 V
Beam Divergence Parallel** θ∥ 0 °
Beam Divergence Perpendicular** θ⊥ 0.42 °

*IF=3.5A, Tm=25°C, CW, 28 LDs are electrically connected in series. (Tm: Module Temperature)
**Full angle at 1/e2 of the maximum intensity.

电流-光输出特性

图显示了28个LD芯片串联连接时的正向电流与光输出特性。 即使在高温工作条件下，仍能保持稳定的性能。

可靠性

即使在高温环境下长时间连续运行，光输出衰减仍然很小。经过3,000小时连续运行后，光输出衰减率仍低于5%。

1"NUBM3N"为本公司产品型号。

QuaLas™

本产品将多个半导体激光芯片集成于1个或2个封装中，并安装在配线基板上。激光经各封装顶部配置的阵列透镜准直后，以一维阵列形式沿垂直方向输出。与采用TO封装等独立封装方案相比，可在更小的占板面积内集成更多半导体激光器。
通常每个封装搭载4～5个LD芯片。产品系列包括在配线基板上搭载1个封装的型号，以及搭载2个封装的型号。
各封装内的半导体激光器采用串联连接方式，可通过配线基板上的连接器进行电气连接。此外，可通过热敏电阻（Thermistor）对产品温度进行监测。通过定制搭载芯片，还可支持多种波长配置。

产品规格示例2

规格

Items Symbol Spec (Typ.)* Unit
Wavelength λd 455 488 525 532 639-
647		 nm
Optical Output
Power**		 Po 34/68 9.5/19 11/22 6.5/13 6.6/13 W
Forward Current IF 3.0 1.9 2.4 1.9 1.45 A
Forward Voltage** VF 20/39 21/42 21/41 22/44 11/21 V
Beam Divergence
Parallel***		 θ∥ <1 <1 <1 <1 <1 °
Beam Divergence
Perpendicular***		 θ⊥ 0 0 0 0 0 °

*Tm=25°C, CW, All LDs in the package are electrically connected in series. (Tm: Module Temperature)
**The values are listed as follows: 5 LD version / 10 LD version.
***Full angle at 1/e2 of the maximum intensity.

电流-光输出特性

下图为搭载5个455nm半导体激光芯片的QuaLas™产品的正向电流与光输出特性。 即使在高温工作条件下，仍能保持稳定的光输出性能。

可靠性

即使在高温环境下长时间连续运行，光输出衰减仍然很小。经过20,000小时连续运行后，光输出衰减率仍低于5%。

2数据为开发阶段的暂定值。

应用示例

  • 结合空间光调制器（SLM）使用
  • 3D打印
  • 激光加热
  • 激光除草
  • 用于检测等工业照明
  • 探照灯
  • 舞台及体育场照明等
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